我们的客户在半导体制造生产过程中，会广泛应用到我们的设备。主要涉及CMOS、功率、射频、MEMS、LED以及晶圆级封装技术等生产制造的公司，可以从我们的解决方案中获益。NEO系列可处理各种类型的半导体材料、晶圆尺寸和厚度。主要集中在：
- 去胶、预处理、光蚀刻、表面处理和清洁
- 紫外光刻胶固化与晶圆器件电荷擦除
去胶、预处理、蚀刻、表面处理和清洁
去胶、预处理、蚀刻、表面处理和清洁
Trymax提供用于去胶、预处理、光蚀刻、表面处理和清洁的等离子反应腔，工艺过程采用干燥和环保的工艺。
去胶：包括剥离光刻胶, 去胶过程通常在离子注入或蚀刻后进行。
预处理：去除晶圆上残留的光刻胶或聚酰亚胺，应用于晶圆制造前段或晶圆级封装。
蚀刻：材料如Si3N4，SiO2和多晶硅等各向同性蚀刻。具有极高的性价比。
表面改性：在湿法蚀刻前进行表面活化，以改善蚀刻工艺步骤。在沉积前提高表面附着力等方面的应用。
清洁：多种清洁方式。例如，等离子体清洗可以在湿法蚀刻完成清洗步骤之后进行，或者在干燥后从空腔或通孔中去除一些残留聚合物之后进行。
紫外线固化和电荷擦除
Trymax可提供UV技术解决方案——用于光致抗蚀剂的固化和在制造过程中消除晶圆表面器件中积累的电荷。
与光刻胶的热烘烤相比，紫外光固化具有许多优点，例如在离子注入或蚀刻之前，光刻胶经UV固化后提高了CD的控制、均匀性、选择性和整体剥离性。
紫外线照射也是一种消除晶圆表面器件中累积电荷的有效方法。
